Toshiba N Kanal, MOSFET, 2 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

80,55 kr

(exkl. moms)

100,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 650 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 16 750 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 1001,611 kr80,55 kr
150 - 4501,353 kr67,65 kr
500 - 9501,165 kr58,25 kr
1000 +0,992 kr49,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2471
Tillv. art.nr:
SSM3K339R
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

390mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.1nC

Maximal effektförlust Pd

2W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.9mm

Höjd

0.7mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.8mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TH
Omkopplare för strömhantering

DC/DC-omvandlare

1.8 V spänning för grindstyrning.

Låg on-resistans i drain-source

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.