Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2542
Tillv. art.nr:
SSM3K335R
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

56mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Enkel

Längd

2.9mm

Höjd

0.7mm

Bredd

1.8mm

Antal element per chip

1

COO (ursprungsland):
TH
4,5 V gate-drivspänning.

Lågt drain-source-motstånd på

RDS(ON) = 38 mΩ (max) (vid VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (vid VGS = 4,5 V)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.