DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2850
- Tillv. art.nr:
- DMP2037U-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
76,60 kr
(exkl. moms)
95,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 625 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 28 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,064 kr | 76,60 kr |
| 50 - 75 | 3,01 kr | 75,25 kr |
| 100 - 225 | 1,55 kr | 38,75 kr |
| 250 - 975 | 1,514 kr | 37,85 kr |
| 1000 + | 1,344 kr | 33,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2850
- Tillv. art.nr:
- DMP2037U-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex P-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
ESD Protected Gate
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.2 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP