Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 360 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSR316P AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 219,00 kr

(exkl. moms)

7 773,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,073 kr6 219,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
170-2250
Tillv. art.nr:
BSR316PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

360mA

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SC-59

Serie

BSR316P

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

500mW

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.3nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.1mm

Längd

3mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.6mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Alla produkter i små signalpaket är lämpliga för fordonstillämpningar

Infineons mycket innovativa OptiMOSTM-familjer inkluderar p-kanals effekt-MOSFET:er. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för strömsystemdesign, t. ex. påslagningsresistans och meritfaktor

Förbättringsläge

Blyfri plätering

Måltillämpningar:

Fordonsindustrin

Konsument

DC-DC

eMobility

Motorstyrning

Bärbar dator

Inbyggd laddare

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.