STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 966,26 kr

(exkl. moms)

2 457,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 540 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 12065,542 kr1 966,26 kr
150 +61,413 kr1 842,39 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-8842
Tillv. art.nr:
STW56N60M2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

52A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-247

Serie

MDmesh M2

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

55mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal effektförlust Pd

350W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

91nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

MDmeshTM M2-serien med N-kanal, STMicroelectronics


Ett sortiment av högspänningseffekts-MOSFET från STMicroelecronics. Med sin låga grindladdning och utmärkta utgångskapacitetsegenskaper är MDmesh M2-serien perfekt för användning i omkopplingsströmförsörjningar av resonanttyp (LLC-omvandlare).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.