STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

381,00 kr

(exkl. moms)

476,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 50 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 4507,62 kr381,00 kr
500 - 12007,429 kr371,45 kr
1250 +7,239 kr361,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-8630
Tillv. art.nr:
STP5N60M2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-220

Serie

MDmesh M2

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-25V, +25V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

45W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

15.75mm

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

MDmeshTM M2-serien med N-kanal, STMicroelectronics


Ett sortiment av högspänningseffekts-MOSFET från STMicroelecronics. Med sin låga grindladdning och utmärkta utgångskapacitetsegenskaper är MDmesh M2-serien perfekt för användning i omkopplingsströmförsörjningar av resonanttyp (LLC-omvandlare).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.