STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- RS-artikelnummer:
- 168-8076
- Tillv. art.nr:
- STW33N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 30 enheter)*
983,82 kr
(exkl. moms)
1 229,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | 32,794 kr | 983,82 kr |
| 90 - 480 | 30,173 kr | 905,19 kr |
| 510 + | 29,799 kr | 893,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-8076
- Tillv. art.nr:
- STW33N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 26 A 650 V Förbättring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 22 A 650 V Förbättring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 32 A 650 V Förbättring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 52 A 650 V Förbättring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 18 A 650 V Förbättring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 68 A 600 V Förbättring TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring TO-263, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring TO-220, MDmesh M2