STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 52 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- RS-artikelnummer:
- 876-5720
- Tillv. art.nr:
- STW56N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 395,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
103,94 kr
(exkl. moms)
129,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 314 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 103,94 kr | - |
| 10 - 99 | 64,40 kr | 395,40 kr |
| 100 - 599 | 63,62 kr | 4 032,00 kr |
| 600 + | 62,72 kr | 24 732,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 876-5720
- Tillv. art.nr:
- STW56N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 52A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 55mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 91nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25V, +25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 52A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 55mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 91nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 350W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MDmeshTM M2-serien med N-kanal, STMicroelectronics
Ett sortiment av högspänningseffekts-MOSFET från STMicroelecronics. Med sin låga grindladdning och utmärkta utgångskapacitetsegenskaper är MDmesh M2-serien perfekt för användning i omkopplingsströmförsörjningar av resonanttyp (LLC-omvandlare).
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 52 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 32 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 68 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2