STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 2000 enheter)*

5 134,00 kr

(exkl. moms)

6 418,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
2000 - 20002,567 kr5 134,00 kr
4000 +2,30 kr4 600,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-6849
Tillv. art.nr:
STQ1HNK60R-AP
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

400mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-92

Serie

MDmesh, SuperMESH

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7nC

Maximal effektförlust Pd

3W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.94mm

Längd

4.95mm

Höjd

4.95mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.