STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 920-6698
- Tillv. art.nr:
- STW20NK50Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
810,42 kr
(exkl. moms)
1 013,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 180 enhet(er) levereras från den 02 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 27,014 kr | 810,42 kr |
| 150 - 270 | 25,745 kr | 772,35 kr |
| 300 + | 22,26 kr | 667,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 920-6698
- Tillv. art.nr:
- STW20NK50Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 270mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 270mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8.3 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH