STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 714-6796
- Tillv. art.nr:
- STQ1HNK60R-AP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
65,18 kr
(exkl. moms)
81,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 100 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 5 450 enhet(er) från den 06 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 6,518 kr | 65,18 kr |
| 20 + | 6,194 kr | 61,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 714-6796
- Tillv. art.nr:
- STQ1HNK60R-AP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 4.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 4.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 250V till 650V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 400 mA 600 V Förbättring TO-92 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 9 A 400 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 15 A 400 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.4 A 400 V Förbättring TO-252 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 400 mA 600 V Förbättring SOT-223 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 40 A 600 V Förbättring ISOTOP SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 53 A 500 V Förbättring ISOTOP SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 1.85 A 1 kV Förbättring IPAK SuperMESH
