STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 714-6796
- Tillv. art.nr:
- STQ1HNK60R-AP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
65,18 kr
(exkl. moms)
81,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 420 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 100 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 5 090 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,518 kr | 65,18 kr |
| 100 - 490 | 4,263 kr | 42,63 kr |
| 500 - 990 | 3,279 kr | 32,79 kr |
| 1000 - 1990 | 2,985 kr | 29,85 kr |
| 2000 + | 2,698 kr | 26,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 714-6796
- Tillv. art.nr:
- STQ1HNK60R-AP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
