STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 714-6787
- Tillv. art.nr:
- STP11NK40ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
159,26 kr
(exkl. moms)
199,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 85 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 135 enhet(er) från den 07 september 2026
- Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 21 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 31,852 kr | 159,26 kr |
| 10 - 95 | 26,858 kr | 134,29 kr |
| 100 - 495 | 21,10 kr | 105,50 kr |
| 500 - 995 | 17,652 kr | 88,26 kr |
| 1000 + | 14,874 kr | 74,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 714-6787
- Tillv. art.nr:
- STP11NK40ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 550mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 550mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
