STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

22 711,00 kr

(exkl. moms)

28 389,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +22,711 kr22 711,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-6679
Tillv. art.nr:
STB100NF04T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

STripFET II

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

300W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

110nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Bredd

9.35mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
MY

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.