STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

11 810,00 kr

(exkl. moms)

14 760,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 100011,81 kr11 810,00 kr
2000 - 400011,664 kr11 664,00 kr
5000 +11,522 kr11 522,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6855
Tillv. art.nr:
STB60NF06LT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STripFET II

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

14mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

35nC

Maximal effektförlust Pd

110W

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.6mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.