STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

21 907,00 kr

(exkl. moms)

27 384,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +21,907 kr21 907,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-6569
Tillv. art.nr:
STB120NF10T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STripFET II

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

10.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

172nC

Maximal effektförlust Pd

312W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.6mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar