Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 130-0990
Tillv. art.nr:: IRFR7546TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

91,62 kr

(exkl. moms)

114,52 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

6 440 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	9,162 kr	91,62 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 130-0990
Tillv. art.nr:: IRFR7546TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	71A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	7.9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	99W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	58nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.73mm
	Bredd	2.39mm
	Höjd	6.22mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 71A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TO-252
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 7.9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 99W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.73mm
	Bredd 2.39mm
	Höjd 6.22mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 71 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 99 W maximal effektförlust - IRFR7546TRPBF

Denna högpresterande MOSFET är utformad för olika tillämpningar som kräver effektiv strömhantering. Med robusta specifikationer är den väl lämpad för scenarier som kräver hållbarhet och högströmsförmåga. Den används ofta i automations- och elektriska tillämpningar och visar exceptionella prestandakarakteristik i olika miljöer.

Funktioner & fördelar

• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 71 A

• Klassad för en maximal dräneringskällspänning på 60 V

• Låg påslagningsresistans förbättrar effektiviteten i strömförsörjningen

• DPAK-paket utformat för enkel ytmontering

• Hög effektförlustkapacitet förbättrar värmehanteringen

• Förbättringslägesdrift optimerar omkopplingsprestanda

Användningsområden

• Lämplig för borstad motordrivning

• Användbar i batteridrivna kretsdesigner

• Används i topologier med halv- och full-brygga

• Effektiv i synkronlikriktare

• Används i DC/DC- och AC/DC-strömomvandlingssystem

Vilken är den termiska specifikationen för kontinuerlig drift?

Den stöder en maximal effektförlust på 99 W, vilket säkerställer effektiv drift utan överhettning under lämpliga förhållanden.

Hur fungerar den i miljöer med höga temperaturer?

Enheten fungerar effektivt upp till en maximal kopplingstemperatur på +175 °C, vilket gör den användbar i utmanande situationer.

Vilka monteringsalternativ finns tillgängliga för installation?

Den har en ytmonterad design i ett DPAK-paket, vilket möjliggör enkel integrering på kretskort samtidigt som den sparar utrymme.

Finns det en begränsning av grindspänningen?

Ja, grind-till-källspänningen får inte överstiga ±20 V för att säkerställa säkra driftsförhållanden.

Vilka åtgärder förbättrar dess tillförlitlighet under drift?

Robustheten förbättras genom avalanche- och dynamiska dV/dt-skyddsfunktioner, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda under olika förhållanden.