onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
166-2704
Tillv. art.nr:
FDT439N
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.072Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

3W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.6mm

Längd

6.5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.56mm

Fordonsstandard

Nej

Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.