onsemi N Kanal, MOSFET, 3.3 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-9715
- Tillv. art.nr:
- FDT86113LZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 136,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
97,89 kr
(exkl. moms)
122,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 815 enhet(er) från den 11 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,578 kr | 97,89 kr | - |
| 50 - 95 | 16,844 kr | 84,22 kr | 136,70 kr |
| 100 - 495 | 14,604 kr | 73,02 kr | 497,40 kr |
| 500 - 995 | 12,858 kr | 64,29 kr | 3 360,00 kr |
| 1000 + | 11,692 kr | 58,46 kr | 7 886,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9715
- Tillv. art.nr:
- FDT86113LZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 189mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Längd | 3.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 189mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.7mm | ||
Längd 3.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3.3 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3.2 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.8 A 150 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 6.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench