onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 166-2557
- Tillv. art.nr:
- FDME1034CZT
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
14 050,00 kr
(exkl. moms)
17 550,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 5 000 enhet(er) levereras från den 07 april 2027
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 2,81 kr | 14 050,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-2557
- Tillv. art.nr:
- FDME1034CZT
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | MicroFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 530mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.4W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Bredd | 1.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 1.6mm | |
| Höjd | 0.5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp MicroFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 530mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.4W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Bredd 1.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 1.6mm | ||
Höjd 0.5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET tunn, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SSOT, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
