Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 166-1055
- Tillv. art.nr:
- IRFI540NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
570,55 kr
(exkl. moms)
713,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 600 enhet(er) från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 11,411 kr | 570,55 kr |
| 100 - 200 | 11,101 kr | 555,05 kr |
| 250 - 450 | 10,81 kr | 540,50 kr |
| 500 - 950 | 10,532 kr | 526,60 kr |
| 1000 + | 10,27 kr | 513,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-1055
- Tillv. art.nr:
- IRFI540NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 52mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 54W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 94nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Längd | 10.63mm | |
| Höjd | 8.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 52mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 54W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 94nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83mm | ||
Längd 10.63mm | ||
Höjd 8.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 20 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 54 W maximal effektförlust - IRFI540NPBF
Denna MOSFET är utvecklad för högpresterande tillämpningar inom elektronikindustrin, spelar en avgörande roll i strömhantering och ger en tillförlitlig lösning för omkoppling och förstärkning av elektroniska signaler. Den kan hantera betydande spännings- och strömbelastningar, vilket säkerställer effektivitet i moderna elektroniska enheter.
Funktioner & fördelar
• Kontinuerlig dräneringsström upp till 20 A
• Nominell spänning på 100 V för hållbar prestanda
• Låg grindgränsspänning förbättrar omkopplingseffektiviteten
• Hög effektförlustkapacitet på upp till 54 W för hållbarhet
• N-kanals förbättringsläge för en mängd olika tillämpningar
• Lågt drain-källmotstånd på 52 mΩ minimerar energiförlusten
Användningsområden
• Används i strömförsörjningar för elektroniska kretsar
• Tillämpligt i fordonsenergistyrningssystem
• Används i motorstyrningssystem för ökad effektivitet
• Viktigt för strömomvandling i förnybara energisystem
• Används i automatiserade maskiner för effektiva kontrollprocesser
Vad är den maximala kontinuerliga strömstyrkan för denna enhet?
Enheten stöder en maximal kontinuerlig dräneringsström på 20 A, vilket passar olika tillämpningar.
Hur påverkar grindtröskelspänningen prestandan?
Grindtröskelspänningen varierar från 2 V till 4 V, vilket underlättar effektiv omkoppling vid lägre styrspänningar och förbättrar prestandan.
Kan denna enhet fungera i miljöer med hög temperatur?
Ja, den kan fungera vid temperaturer som når +175 °C, vilket säkerställer prestanda under utmanande förhållanden.
Finns det en specifik monteringstyp som rekommenderas för optimal prestanda?
Den är lämplig för genomgående hålmontering, vilket möjliggör säkra anslutningar och effektiv värmehantering i olika tillämpningar.
N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 230 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET