Infineon N Kanal, MOSFET, 4.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 372,00 kr

(exkl. moms)

4 215,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30001,124 kr3 372,00 kr
6000 - 120001,095 kr3 285,00 kr
15000 +1,068 kr3 204,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7766
Tillv. art.nr:
IRLML6246TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

66mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

1.3W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.02mm

Bredd

1.4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.04mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 4,1 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRLML6246TRPBF


Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för lågspänningsswitchning i ytmonterade enheter. Den fungerar i ett brett temperaturområde och accepterar gate-drivnivåer som är kompatibla med vanliga styrkretsar. Kapslingen och de elektriska egenskaperna gör den lämplig för kort med begränsat utrymme som kräver effektiv omkopplingsprestanda utan höga krav på effekthantering.

Funktioner och fördelar:


• Maximal drain-källspänning 20 V möjliggör lågspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 4.1 A stöder måttliga belastningsströmmar
• Låg påslagningsresistans på 66 mΩ minimerar ledningsförluster
• Typisk grindladdning 3.5 nC möjliggör snabbare växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 1.3 W passar begränsade termiska budgetar
• Gate-source-tolerans upp till 12 V möjliggör robusta drivmarginaler

Användningsområden


• Lämplig för omkoppling av batterihantering i bärbara system
• Idealisk för lastväxling i strömfördelningsmoduler
• Används med grinddrivare i lågspänningsstegen för motorstyrning
• Kan användas för synkron omkoppling av DC/DC-omvandlare
• Lämplig för höghastighetsväxling av signalnivå i styrkretsar

Vilka termiska extremer kan denna enhet tolerera under drift?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora temperaturvariationer.

Hur påverkar förpackningen kretskortslayout och montering?


SOT‐23 ytmonteringsformatet med tre stift minskar kortytan och stöder automatiserade pick‐and‐place- och omsmältningsprocesser.

Hur är det förväntade beteendet vid högre grindspänningar?


Enheten begränsar gate-source-värden till maximalt 12 V, så gate-enheter bör förbli inom denna tröskel för att förhindra gate-oxidbelastning.

Hur fungerar enheten under kontinuerlig belastning?


Kontinuerlig avtappningsström är klassad för 4,1 A medan värmeavledning är begränsad till 1,3 W, så en tillräcklig kopparyta eller kylelement krävs för att upprätthålla säkra kopplingstemperaturer.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.