Infineon N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-artikelnummer:: 165-7763
Tillv. art.nr:: IRLML2030TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

För närvarande inte tillgänglig

Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

RS-artikelnummer:: 165-7763
Tillv. art.nr:: IRLML2030TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	100mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.3W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	1.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	3.04mm
	Höjd	1.02mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.3W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 1.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 3.04mm
	Höjd 1.02mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: PH

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 100 mΩ maximal drain-källresistans - IRLML2030TRPBF

Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för lågströmsomkoppling i ytmonterade enheter med liten formfaktor. Den är avsedd för tillämpningar som kräver måttlig strömhantering och en 30 V blockeringsförmåga, och utför omkopplingsuppgifter i ett brett miljöområde från kalla till höga temperaturer.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 100 mΩ minskar ledningsförluster och värme
• 30 V drain-source-klassning möjliggör omkoppling vid måttlig spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 2,7 A stöder drift med kontinuerlig belastning
• Låg grindladdning 1 nC möjliggör snabb och effektiv omkoppling
• Maximal effektförlust på 1.3 W möjliggör termisk budgetering
• Gate-source-motstånd 20 V ger ingångsmarginal för drivrutiner

Användningsområden

• Lämplig för batteriskydd och belastningsswitchkretsar
• Perfekt för faser av strömhantering i bärbara enheter
• Används med DC/DC-omvandlare i små SMD-konstruktioner
• Kan användas för LED-drivenheter och styrning av små motorer
• Lämplig för signalnivåväxling i konsumentelektronik

Inom vilket temperaturområde kan den fungera?

Den fungerar från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning under extrema omgivningsförhållanden.

Hur är den förpackad för montering på kretskort?

Den levereras i ett SOT-23-paket för ytmontering för kompakt placering av kortet.

Vilken elektrisk roll har enheten i omkopplingsdesigner?

Den fungerar som en omkopplingstransistor med låg spänning och hanterar på/av-styrning samtidigt som den begränsar ledningsförluster tack vare sin specificerade RDS(on).

Hur litet är komponentfotavtrycket för layoutplanering?

Enheten mäter 3,04 x 1,4 x 1,02 mm, vilket möjliggör tät komponentförpackning på SMD-kort.