Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 165-6893
- Tillv. art.nr:
- BSC160N10NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
25 975,00 kr
(exkl. moms)
32 470,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 5,195 kr | 25 975,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6893
- Tillv. art.nr:
- BSC160N10NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 60W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.35mm | |
| Bredd | 6.35mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal effektförlust Pd 60W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.35mm | ||
Bredd 6.35mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 42 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 60 W maximal effektförlust - BSC160N10NS3GATMA1
Denna MOSFET är konstruerad för effektivitet och hållbarhet i en mängd olika applikationer. Den fungerar som en grundläggande komponent i strömhanteringssystem, utmärker sig i omkopplingstillämpningar, vilket gör den lämplig för automations- och elsektorer. Dess imponerande funktioner, inklusive hög kontinuerlig dräneringsström och låg påslagningsresistans, optimerar prestanda i olika miljöer och säkerställer styrka och effektivitet.
Funktioner & fördelar
• Stöder en kontinuerlig dräneringsström på 42 A för högeffektsuppgifter
• Fungerar vid en maximal dräneringskällspänning på 100 V för bred tillämpningsanvändning
• Uppvisar låg påslagningsresistans på 33 mΩ, vilket förbättrar energieffektiviteten
• Utformad med en ytmonterad konfiguration för enkel kretsintegrering
• Fungerar i miljöer med hög temperatur, upp till +150 °C
• Använder en enda N-kanalkonfiguration för förbättrad stabilitet
Användningsområden
• Används i strömförsörjningar och omvandlare för effektiv energihantering
• Passar till som kräver kompakta och effektiva strömförsörjningsenheter
• Används i motorstyrningssystem för förbättrade svarstider
• Idealisk för telekommunikationssystem som behöver robusta strömförmåga
• Används vanligtvis i förnybara energisystem för effektiv strömomvandling
Vilka är de termiska gränserna för drift av denna enhet?
Enheten fungerar inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, lämplig för olika miljöförhållanden.
Hur kan den låga påslagningsresistansen gynna min kretsdesign?
Det låga motståndet i påläge minskar effektförlusten under drift, vilket förbättrar kretsens effektivitet och minskar värmegenereringen.
Finns det en specifik monteringsmetod som krävs för denna MOSFET?
Denna MOSFET har en ytmonterad design, vilket underlättar enkel integrering i kretskort.
Kan denna MOSFET användas för pulserande tillämpningar?
Ja, den kan ta emot pulserande strömmar på upp till 168 A, vilket gör den lämplig för tillämpningar med transientbelastning.
Vilka säkerhetsfunktioner bör jag ta hänsyn till under installationen?
Det är viktigt att hantera grindkällans spänning inom det angivna intervallet på -20 V till +20 V för att förhindra skador, samtidigt som det säkerställs att värmebeständighetsklassificeringarna följs för optimal prestanda.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 147 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
