Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

25 975,00 kr

(exkl. moms)

32 470,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +5,195 kr25 975,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6893
Tillv. art.nr:
BSC160N10NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

42A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19nC

Maximal effektförlust Pd

60W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.35mm

Bredd

6.35mm

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 42 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 60 W maximal effektförlust - BSC160N10NS3GATMA1


Denna MOSFET är konstruerad för effektivitet och hållbarhet i en mängd olika applikationer. Den fungerar som en grundläggande komponent i strömhanteringssystem, utmärker sig i omkopplingstillämpningar, vilket gör den lämplig för automations- och elsektorer. Dess imponerande funktioner, inklusive hög kontinuerlig dräneringsström och låg påslagningsresistans, optimerar prestanda i olika miljöer och säkerställer styrka och effektivitet.

Funktioner & fördelar


• Stöder en kontinuerlig dräneringsström på 42 A för högeffektsuppgifter

• Fungerar vid en maximal dräneringskällspänning på 100 V för bred tillämpningsanvändning

• Uppvisar låg påslagningsresistans på 33 mΩ, vilket förbättrar energieffektiviteten

• Utformad med en ytmonterad konfiguration för enkel kretsintegrering

• Fungerar i miljöer med hög temperatur, upp till +150 °C

• Använder en enda N-kanalkonfiguration för förbättrad stabilitet

Användningsområden


• Används i strömförsörjningar och omvandlare för effektiv energihantering

• Passar till som kräver kompakta och effektiva strömförsörjningsenheter

• Används i motorstyrningssystem för förbättrade svarstider

• Idealisk för telekommunikationssystem som behöver robusta strömförmåga

• Används vanligtvis i förnybara energisystem för effektiv strömomvandling

Vilka är de termiska gränserna för drift av denna enhet?


Enheten fungerar inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, lämplig för olika miljöförhållanden.

Hur kan den låga påslagningsresistansen gynna min kretsdesign?


Det låga motståndet i påläge minskar effektförlusten under drift, vilket förbättrar kretsens effektivitet och minskar värmegenereringen.

Finns det en specifik monteringsmetod som krävs för denna MOSFET?


Denna MOSFET har en ytmonterad design, vilket underlättar enkel integrering i kretskort.

Kan denna MOSFET användas för pulserande tillämpningar?


Ja, den kan ta emot pulserande strömmar på upp till 168 A, vilket gör den lämplig för tillämpningar med transientbelastning.

Vilka säkerhetsfunktioner bör jag ta hänsyn till under installationen?


Det är viktigt att hantera grindkällans spänning inom det angivna intervallet på -20 V till +20 V för att förhindra skador, samtidigt som det säkerställs att värmebeständighetsklassificeringarna följs för optimal prestanda.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.