Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 165-6701
- Tillv. art.nr:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
913,90 kr
(exkl. moms)
1 142,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 18,278 kr | 913,90 kr |
| 100 + | 17,181 kr | 859,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6701
- Tillv. art.nr:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 32mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 15.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 32mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 15.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 34 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 136 W maximal effektförlust – IPP320N20N3GXKSA1
Denna MOSFET erbjuder hög prestanda för olika elektroniska tillämpningar. Med kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på upp till 34 A och en dräneringskällspänning på 200 V fungerar den som en effektiv strömlösning. Förbättringslägesdrift säkerställer tillförlitlig prestanda i kretsar som kräver omkoppling och synkron likriktering.
Funktioner & fördelar
• N-kanalkonstruktion för effektiv strömomvandling
• Låg påslagningsresistans minskar energiförlusten
• Hög drifttemperaturtolerans för extrema förhållanden
• Kompatibel med högfrekvensomkopplingstillämpningar
• Blyfri och RoHS-kompatibel för miljövänlig användning
• Halogenfria material förbättrar säkerheten och efterlevnaden
Användningsområden
• Används i nätaggregat för industriell automation
• Lämplig för synkron likriktering i DC-DC-omvandlare
• Kan användas i laddningssystem för elfordon
• Idealisk för batterihanteringssystem i konsumentelektronik
• Används i växelriktare för förnybar energi för effektiv strömöverföring
Vilket är det maximala temperaturområdet för drift?
Komponenten fungerar effektivt mellan -55 °C och +175 °C, vilket gör den lämplig för olika miljöförhållanden.
Kan den hantera höga dräneringsströmmar?
Ja, den stöder kontinuerliga dräneringsströmmar på upp till 34 A, lämplig för tillämpningar med hög effekt.
Vilka fördelar ger den låga RDS(on)-funktionen?
Det låga påslagningsmotståndet minskar energiförlusterna under drift avsevärt, vilket förbättrar effektiviteten i tillämpningar med hög strömförbrukning.
Är den lämplig för fordonstillämpningar?
Med sin höga temperaturklassning och låga påslagningsresistans är den lämplig för fordonstillämpningar, vilket ger prestanda under utmanande förhållanden.
Hur säkerställer jag korrekt värmeavledning under installationen?
För att uppnå effektiv värmehantering, se till att MOSFET är monterad på en kylelement eller ett kretskort med tillräcklig kopparyta för att underlätta avledning av värme som genereras under drift.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3