Infineon N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 752-8381
- Tillv. art.nr:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 3%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
57,01 kr
(exkl. moms)
71,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 47 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 11 enhet(er) från den 12 november 2026
- Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 11 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 57,01 kr | - |
| 5 - 9 | 55,10 kr | 3% |
| 10 - 14 | 54,32 kr | 4% |
| 15 - 24 | 52,64 kr | 7% |
| 25 + | 51,18 kr | 10% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 752-8381
- Tillv. art.nr:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 88A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 88A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.45mm | ||
Bredd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V och över
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3