Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
754-5480
Tillv. art.nr:
IPP072N10N3GXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

150W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

15.95mm

Höjd

4.57mm

Längd

10.36mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V och över


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.