Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3

RS-artikelnummer:: 165-8120
Tillv. art.nr:: IPP111N15N3GXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 424,65 kr

(exkl. moms)

1 780,80 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 04 maj 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	28,493 kr	1 424,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-8120
Tillv. art.nr:: IPP111N15N3GXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	83A
	Maximal källspänning för dränering Vds	150V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	OptiMOS 3
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	11.3mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	41nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	214W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	15.95mm
	Längd	10.36mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 83A
	Maximal källspänning för dränering Vds 150V
	Kapseltyp TO-220
	Serie OptiMOS 3
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 11.3mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 214W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 15.95mm
	Längd 10.36mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 83A Maximum Continuous Drain Current, 214W Maximum Power Dissipation - IPP111N15N3GXKSA1

This MOSFET is suitable for high-efficiency switching applications, significantly enhancing system efficiency and performance across various industries including automation and electronics. Its features, including a high continuous drain current and broad operating temperature range, make it adaptable for various environments.

Features & Benefits

• N-channel design for effective switching capabilities

• Low on-resistance which reduces power loss

• High power dissipation capacity for consistent operation

• Effectively handles both pulsed and continuous currents

• Through-hole mounting design for easy installation

Applications

• Ideal for synchronous rectification in power supplies

• Applicable in high-frequency switching for enhanced efficiency

• Suitable for automotive and industrial automation systems

• Utilised in energy conversion systems like converters and inverters

• Employed in power management for renewable energy technologies

Can this be used in industrial automation systems?

Yes, it is suitable for automated systems due to its efficiency and dependable performance.

What are the benefits of using this component in power supplies?

It features low on-resistance and high drain current, minimising power losses and improving thermal management in power supply designs.

How does this perform under extreme temperatures?

This component operates reliably within a temperature range of -55°C to +175°C, making it suitable for harsh conditions.

Is it compatible with existing designs in my application?

Yes, its TO-220 package type and through-hole mounting style are compatible with many established circuit designs.

What should I consider for proper installation?

Ensure proper thermal management and adequate space for heat dissipation to maintain optimal performance during operation.