Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3

RS-artikelnummer:: 165-8120
Tillv. art.nr:: IPP111N15N3GXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3

Antal (50 enheter, i ett rör med 50)*

1 424,65 kr

(exkl. moms)

1 780,80 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

250 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	28,493 kr	1 424,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-8120
Tillv. art.nr:: IPP111N15N3GXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	83A
	Maximal källspänning för dränering Vds	150V
	Serie	OptiMOS 3
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	11.3mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	41nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	214W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.36mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	4.57mm
	Höjd	15.95mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 83A
	Maximal källspänning för dränering Vds 150V
	Serie OptiMOS 3
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 11.3mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 214W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.36mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 4.57mm
	Höjd 15.95mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 83 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 214 W maximal effektförlust – IPP111N15N3GXKSA1

Denna MOSFET är lämplig för högeffektiva omkopplingstillämpningar, vilket avsevärt förbättrar systemets effektivitet och prestanda inom olika branscher, inklusive automation och elektronik. Dess funktioner, inklusive en hög kontinuerlig dräneringsström och brett driftstemperaturområde, gör den anpassningsbar för olika miljöer.

Funktioner & fördelar

• N-kanalkonstruktion för effektiva omkopplingsmöjligheter

• Låg påslagningsresistans som minskar effektförlusten

• Hög effektförlustkapacitet för konsekvent drift

• Effektivt hanterar både pulserande och kontinuerlig ström

• Design för genomgående hålmontering för enkel installation

Användningsområden

• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar

• Kan användas i högfrekvensomkoppling för ökad effektivitet

• Lämpligt för fordons- och industriella automationssystem

• Används i energiomvandlingssystem som omvandlare och växelriktare

• Används inom strömhantering för förnybar energiteknik

Kan detta användas i industriella automationssystem?

Ja, den är lämplig för automatiserade system på grund av sin effektivitet och tillförlitliga prestanda.

Vilka är fördelarna med att använda denna komponent i nätaggregat?

Den har låg påslagningsresistans och hög dräneringsström, vilket minimerar effektförluster och förbättrar termisk hantering i strömförsörjningsdesigner.

Hur fungerar det under extrema temperaturer?

Denna komponent fungerar tillförlitligt inom ett temperaturområde på -55 °C till +175 °C, vilket gör den lämplig för tuffa förhållanden.

Är den kompatibel med befintliga konstruktioner i min applikation?

Ja, dess TO-220-kapseltyp och genomgående hålmonteringstyp är kompatibla med många etablerade kretsdesigner.

Vad bör jag tänka på för korrekt installation?

Säkerställ korrekt värmehantering och tillräckligt utrymme för värmeavledning för att bibehålla optimal prestanda under drift.