Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P

RS-artikelnummer:: 165-6578
Tillv. art.nr:: BSC060P03NS3EGATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

22 810,00 kr

(exkl. moms)

28 510,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 05 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	4,562 kr	22 810,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-6578
Tillv. art.nr:: BSC060P03NS3EGATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	OptiMOS P
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	9.6mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	61nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-25V, +25V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	5.35mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.35mm
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp TDSON
	Serie OptiMOS P
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 9.6mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 5.35mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.35mm
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 100 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC060P03NS3EGATMA1

Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för högströms-, lågspänningstillämpningar i ytmonterade enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och ger betydande kontinuerlig strömkapacitet samtidigt som den behåller kompakt förpackning för kortdesign med låg profil.

Funktioner och fördelar:

• Kontinuerlig dräneringsström på 100 A möjliggör kontinuerlig högströmsomkoppling
• 30 V drain-source-klassning stöder lågspänningseffektsteg
• 9,6 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster och värmegenerering
• Maximal effektförlust på 83 W möjliggör betydande effekthantering
• 61 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsdynamik
• Gränsen för grindkälla på 25 V säkerställer grinddrivarens huvudutrymme för robusthet

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för DC-motordrivkretsar som kräver hög strömhantering
• Används för belastningspunktregulatorer i server- och telekomutrustning
• Kan användas för batterihanteringssystem inom energilagring
• Lämplig för högströmslastswitchar på kompakta kretskort

Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med kraftiga temperaturvariationer.

Vilket förpacknings- och monteringssätt använder den för kretskortsmontering?

Enheten levereras i ett 8-stifts TDSON-paket utformat för ytmonterad placering och lågprofilsmontering.

Är kanaltypen och driftläget lämpliga för vanliga strömtopologier?

Den använder en P-typ-kanal i förstärkningsläge, lämplig för konstruktioner som kräver en P-kanal-enhet med kontrollerade ledningsegenskaper.

Hur kompakt är komponenten för trånga kortlayouter?

Höljets höjd är 1,1 mm och fotavtrycket stöder kompakt placering samtidigt som hög strömkapacitet bibehålls.