Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 161 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 165-5923
Tillv. art.nr:: IRLR7843TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 161 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

8 232,00 kr

(exkl. moms)

10 290,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

12 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	4,116 kr	8 232,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-5923
Tillv. art.nr:: IRLR7843TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	161A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	140W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	34nC
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.73mm
	Höjd	2.39mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 161A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 140W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.73mm
	Höjd 2.39mm
	Fordonsstandard Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 161 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 140 W maximal effektförlust - IRLR7843TRPBF

Denna MOSFET är skräddarsydd för högpresterande applikationer inom el- och elektroniksektorn, särskilt lämplig för fordons- och industriella behov. HEXFET-tekniken ger imponerande effektivitet och tillförlitlighet, vilket gör den idealisk för högfrekventa synkrona buck-omvandlare och isolerade DC-DC-omvandlare. Enheten hanterar effektivt effektförlusten och förbättrar prestandan i elektroniska system.

Funktioner & fördelar

• Extremt låg RDS(on) optimerar effektförlust och effektivitet

• Hög kontinuerlig dräneringsström för intensiva applikationer

• Konstruerad för höga driftstemperaturer för att säkerställa prestanda

• Blyfri konstruktion uppfyller miljömedvetna designstandarder

• Låg grindladdning förbättrar switchbeteendet i kretsar

Användningsområden

• Används i högfrekventa synkrona buck-omvandlare

• Används i isolerade DC-DC-omvandlare för telekomsystem

• Servar krafthanteringssystem för fordonsindustrin

• Lämplig för industriella nätaggregat med krav på ökad effektivitet

• Idealisk för effektreglering i datorprocessorer

Vilka är de typiska termiska prestandaegenskaperna?

Den maximala driftstemperaturen är +175°C med en termisk resistans på 50°C/W från korsning till omgivning, vilket säkerställer effektiv prestanda i termiska miljöer.

Hur påverkar det låga RDS(on) den övergripande kretsdesignen?

Låg RDS(on) minskar ledningsförlusterna, vilket leder till förbättrad effektivitet under varierande belastningsförhållanden, vilket är avgörande för högpresterande konstruktioner.

Kan den hantera pulsströmmar på ett effektivt sätt?

Ja, den klarar pulserande avtappningsströmmar på upp till 620 A, vilket säkerställer driftsäkerheten under dynamiska belastningar.

Vilka monteringsmetoder är kompatibla med denna komponent?

Som en ytmonterad komponent i DPAK-förpackning är den lämplig för automatiserade monteringsprocesser.

Är den lämplig för användning i fordonsapplikationer?

Ja, dess specifikationer, inklusive en maximal drain-source-spänning på 30 V, gör den lämplig för kraftsystem i fordon.