Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 165-5922
- Tillv. art.nr:
- IRLR3105TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2000 enheter)*
6 882,00 kr
(exkl. moms)
8 602,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 3,441 kr | 6 882,00 kr |
| 4000 + | 3,269 kr | 6 538,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-5922
- Tillv. art.nr:
- IRLR3105TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 43mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 43mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 25 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 57 W maximal effektförlust - IRLR3105TRPBF
Denna MOSFET är avsedd för högpresterande applikationer där reglering av elektrisk effekt är kritisk. Den ger effektiv växling och effektiv termisk hantering och fungerar inom ett brett temperaturområde, vilket gör den till ett fördelaktigt val för yrkesverksamma inom automation, elektronik och elektriska sektorer.
Funktioner & fördelar
• Förbättrad effektivitet med låg Rds(on) för minskad effektförlust
• Stöder en maximal kontinuerlig dräneringsström på 25A
• Tillåter dubbla spänningsnivåer för gate-source för ökad flexibilitet
• Bibehåller termisk stabilitet med en maximal driftstemperatur på +175°C
• Kompakt DPAK TO-252-paket ger enkel ytmontering
• Utformad för snabba växlingshastigheter för förbättrad prestanda
Användningsområden
• Kontrollerar motorstyrningar i automationssystem
• Används i strömhanteringskretsar för energieffektivitet
• Integrerad i DC-DC-omvandlare för elektroniska apparater
• Lämplig för industriell utrustning som kräver hög tillförlitlighet
• Används i batterihanteringssystem för optimal drift
Vad är driftstemperaturområdet?
Drifttemperaturområdet är -55°C till +175°C, vilket ger mångsidighet i olika miljöer.
Hur hanterar den växlingshastigheten?
Den är konstruerad för snabb växling, vilket ger hög prestanda i applikationer som kräver snabba på- och avstängningscykler.
Vilken typ av montering stöder den?
Den här enheten är avsedd för ytmonterade applikationer med ångfas-, infraröd- eller våglödningsteknik.
Kan den användas i högspänningsapplikationer?
Ja, den arbetar med en maximal drain-source-spänning på 55 V, vilket gör den lämplig för högspänningskretsar.
Vilka överväganden bör göras för effektförlust?
Effektförlusten kan nå upp till 57 W, med en nedväxlingsfaktor på 0,38 W/°C för att garantera säker drift under olika termiska förhållanden.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
