onsemi N Kanal, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2V7002K AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 163-2026
- Tillv. art.nr:
- 2V7002KT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Lägg till 9000 till för att spara 1 152,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 347,00 kr
(exkl. moms)
1 683,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 12 november 2027
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,449 kr | 1 347,00 kr | - |
| 9000 + | 0,321 kr | 963,00 kr | 1 152,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 163-2026
- Tillv. art.nr:
- 2V7002KT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 320mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | 2V7002K | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 420mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 320mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie 2V7002K | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal effektförlust Pd 420mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.01mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET med Schottky-diod, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2V7002K AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 560 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 220 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002K AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138L AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1 AEC-Q101
