onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563, NTZS3151P
- RS-artikelnummer:
- 163-1147
- Tillv. art.nr:
- NTZS3151PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (4000 enheter, på en rulle med 4000)*
3 416,00 kr
(exkl. moms)
4 272,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,854 kr | 3 416,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 163-1147
- Tillv. art.nr:
- NTZS3151PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 950mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | NTZS3151P | |
| Kapseltyp | SOT-563 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 240mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8V, +8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 210mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 600μm | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Längd | 1.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 950mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie NTZS3151P | ||
Kapseltyp SOT-563 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 240mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 210mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 600μm | ||
Bredd 1.3mm | ||
Längd 1.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
P-kanalig effekt-MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563, NTZS3151P
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Liten signal, 430 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 1.03 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563, DMG1023 AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Liten signal, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 620 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- Toshiba 2 N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563
- DiodesZetex 2 N Kanal, MOSFET 50 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563