onsemi 2 N Kanal Dubbel, Liten signal, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

3 768,00 kr

(exkl. moms)

4 712,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +0,942 kr3 768,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
184-1071
Tillv. art.nr:
NTZD3154NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

Liten signal

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

540mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-563

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

7V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.5nC

Maximal effektförlust Pd

250mW

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Bredd

1.3mm

Längd

1.7mm

Höjd

0.6mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Detta är en 20 V N-kanals effekt-MOSFET.

Låg RDS(on) förbättrar systemets effektivitet

Låg tröskelspänning

Litet fotavtryck 1.6 x 1.6 mm

ESD-skyddad grind

Användningsområden:

Last-/strömbrytare

Strömförsörjningsomvandlarkretsar

Batterihantering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.