onsemi N Kanal, MOSFET, 2.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1N03L AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
162-8966
Tillv. art.nr:
MVGSF1N03LT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

MGSF1N03L

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

145mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

690mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.04mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Höjd

1.01mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Effekt-MOSFET med N-kanal, 30 V, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.