IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HiperFET
- RS-artikelnummer:
- 146-4403
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-297
- Tillv. art.nr:
- IXFA80N25X3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
91,27 kr
(exkl. moms)
114,09 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 91,27 kr |
| 5 - 9 | 78,22 kr |
| 10 - 24 | 74,39 kr |
| 25 + | 71,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4403
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-297
- Tillv. art.nr:
- IXFA80N25X3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HiperFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 390W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.41mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HiperFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal effektförlust Pd 390W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.41mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Lägsta påslagningsresistans RDS(ON) och grindladdning Qg
Kroppsdiod dv/dt med snabb mjuk återhämtning
Överlägsen lavinreaktionskapacitet
Internationella standardpaket
Batteriladdare för lätta elfordon
Synkron likriktering i switchade nätaggregat
Motorstyrning
DC-DC-omvandlare
Avbrottsfri strömförsörjning
Elektriska gaffeltruckar
Klass D-ljudförstärkare
Telekomsystem
Hög effektivitet
Hög effekttäthet
Förbättrad systemtillförlitlighet
Enkel att designa i
200 MHz/330 DMIPS, MIPS32 microAptiv-kärna
Dual Panel Flash för live-uppdateringsstöd
12-bitars, 18 MSPS, 45-kanals ADC-modul
Minneshanteringsenhet för optimalt inbäddat operativsystem
microMIPS-läge för upp till 35 % kodkomprimering
CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI och analoga komparatorer
SPI/I2S-gränssnitt för ljudbehandling och uppspelning
Hög hastighet USB-enhet/värd/OTG
10/100 Mbps Ethernet MAC med MII- och RMII-gränssnitt
Avancerat minnesskydd
2 MB flashminne (plus ytterligare 160 KB uppstartsflash)
640 KB SRAM-minne
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 250 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 80 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HiperFET, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 132 A 250 V Förbättring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET