Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 145-8705
- Tillv. art.nr:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
853,45 kr
(exkl. moms)
1 066,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 700 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,069 kr | 853,45 kr |
| 100 - 200 | 14,338 kr | 716,90 kr |
| 250 - 450 | 13,485 kr | 674,25 kr |
| 500 - 950 | 12,461 kr | 623,05 kr |
| 1000 + | 11,608 kr | 580,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-8705
- Tillv. art.nr:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 37.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.85mm | |
| Längd | 10.65mm | |
| Höjd | 16.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 37.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.85mm | ||
Längd 10.65mm | ||
Höjd 16.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 45 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 37,5 W maximal effektförlust - IPA086N10N3GXKSA1
Denna MOSFET är utformad för högpresterande tillämpningar inom automation, elektronik och elteknik. Som en effekttransistor förbättrar den strömhanteringen genom att ge utmärkt effektivitet och tillförlitlighet. Dess hållbara design stöder högfrekvent omkoppling, vilket gör den lämplig för miljöer där stark prestanda är avgörande.
Funktioner & fördelar
• N-kanalkonfiguration optimerar strömhantering
• Låg påslagningsresistans förbättrar den övergripande systemets effektivitet
• Fungerar vid temperaturer upp till +175 °C för anpassningsbara tillämpningar
• Helt isolerat paket förbättrar säkerheten under drift
• Överensstämmer med RoHS- och halogenfria standarder för miljövänlig användning
Användningsområden
• Idealisk för högfrekvensomkoppling i elektroniska enheter
• Används i synkronlikriktning för att maximera effektiviteten
• Passar till kräver hantering av hög ström
• Effektiv i temperaturkänsliga miljöer tack vare robust termisk prestanda
Vad är betydelsen av den låga on-resistansfunktionen i denna enhet?
Den låga on-resistansfunktionen minskar effektförluster under drift, vilket leder till förbättrad effektivitet i strömhanteringskretsar. Detta resulterar i mindre värmegenerering och förbättrad övergripande prestanda.
Kan denna MOSFET användas i fordonstillämpningar?
Ja, den är lämplig för fordonstillämpningar eftersom den uppfyller prestandakrav för höga temperaturer och ger tillförlitlig drift under varierande belastningsförhållanden.
Hur påverkar grindströskelspänningen kretsfunktionen?
Grindtröskelspänningen avgör när MOSFET börjar leda. I detta fall sträcker den sig från 2 V till 3,5 V, vilket säkerställer att aktivering endast sker under lämpliga spänningsnivåer, vilket skyddar andra komponenter.
Vilka typer av kretsar är mest kompatibla med denna effekttransistor?
Denna effekttransistor är kompatibel med högfrekventa omkopplingskretsar och synkrona likrikteringstillämpningar, vilket ger mångsidighet för olika elektroniska konstruktioner.
Hur ska MOSFET monteras för optimal prestanda?
MOSFET:en bör monteras med hjälp av genomgående hålmetoden för att säkerställa säkra anslutningar och effektiv värmeavledning baserat på dess termiska resistansspecifikationer.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3