Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 51 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 145-8612
- Tillv. art.nr:
- IRLZ44ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
253,80 kr
(exkl. moms)
317,25 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 5,076 kr | 253,80 kr |
| 100 - 200 | 4,726 kr | 236,30 kr |
| 250 - 450 | 4,605 kr | 230,25 kr |
| 500 - 1200 | 4,484 kr | 224,20 kr |
| 1250 + | 4,372 kr | 218,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-8612
- Tillv. art.nr:
- IRLZ44ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 80W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead-Free | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 80W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden Lead-Free | ||
Bredd 9.65mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
N-kanals Power MOSFET 55V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 51 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 86 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 202 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 53 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET