Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSN20BK
- RS-artikelnummer:
- 136-4845
- Tillv. art.nr:
- BSN20BKR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
200,70 kr
(exkl. moms)
250,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 800 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 4 400 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 2,007 kr | 200,70 kr |
| 600 - 1400 | 1,641 kr | 164,10 kr |
| 1500 + | 1,41 kr | 141,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 136-4845
- Tillv. art.nr:
- BSN20BKR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 330mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | BSN20BK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.49nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.67W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 330mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie BSN20BK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.49nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.67W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSN20BK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH201
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.05 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH105
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH103
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002