Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 4 Ben, MX, DirectFET
- RS-artikelnummer:
- 130-0965
- Tillv. art.nr:
- IRF7946TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
71,23 kr
(exkl. moms)
89,038 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 35,615 kr | 71,23 kr |
| 20 - 48 | 32,03 kr | 64,06 kr |
| 50 - 98 | 29,85 kr | 59,70 kr |
| 100 - 198 | 27,61 kr | 55,22 kr |
| 200 + | 25,93 kr | 51,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 130-0965
- Tillv. art.nr:
- IRF7946TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 198A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | MX | |
| Serie | DirectFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 141nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.35mm | |
| Höjd | 0.53mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 198A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp MX | ||
Serie DirectFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 141nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.35mm | ||
Höjd 0.53mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineons StarkIRFET familjen är optimerad för låg RDS(på) och kapacitet för hög strömstyrka. Denna portfölj erbjuder förbättrad robusthet för gate, lavin och dynamisk dv/dt och är idealisk för industriella lågfrekvensapplikationer som motorstyrningar, elverktyg, växelriktare och batterihantering där prestanda och robusthet är avgörande.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 4 Ben, MX, DirectFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 270 A 40 V, DirectFET, DirectFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Förbättring, 6 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET