IXYS N Kanal, MOSFET, 70 A 500 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS264, PolarHVTM HiPerFET
- RS-artikelnummer:
- 125-8039
- Tillv. art.nr:
- IXFL100N50P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
316,20 kr
(exkl. moms)
395,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 316,20 kr |
| 2 - 4 | 285,15 kr |
| 5 - 9 | 277,65 kr |
| 10 - 24 | 270,59 kr |
| 25 + | 263,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 125-8039
- Tillv. art.nr:
- IXFL100N50P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | ISOPLUS264 | |
| Serie | PolarHVTM HiPerFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 52mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 625W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 240nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 26.42mm | |
| Längd | 20.29mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp ISOPLUS264 | ||
Serie PolarHVTM HiPerFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 52mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 625W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 240nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 26.42mm | ||
Längd 20.29mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.21mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-Channel Power MOSFET, IXYS HiperFET PolarHV Series
A range of IXYS PolarHV™ series N-channel Enhancement mode Power MOSFET with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 500 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS264, PolarHVTM HiPerFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 300 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, Polar HiPerFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 78 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 500 A 75 V Förbättring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
