Infineon N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 124-9035
- Tillv. art.nr:
- 2N7002H6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 121,00 kr
(exkl. moms)
2 652,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 45 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,707 kr | 2 121,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,594 kr | 1 782,00 kr |
| 15000 + | 0,559 kr | 1 677,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-9035
- Tillv. art.nr:
- 2N7002H6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Bredd 1.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 4 Ω maximal drain-källresistans - 2N7002H6327XTSA2
Denna N-kanalförstärknings-MOSFET med liten signal är utformad för höghastighetsomkoppling i ytmonteringstillämpningar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och ger ett kompakt omkopplingselement för lågströmskretsar där kontrollerad ledning och snabb grindrespons krävs.
Funktioner och fördelar:
• 60 V drain-source-klassning möjliggör omkoppling vid högre spänning
• Maximal Rds(on) på 4 Ω minskar ledningsförluster vid låga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 300 mA stöder småsignalbelastningar
• 0.4 nC typisk grindladdning ger snabba växlingsövergångar
• 20 V gate-source-tolerans möjliggör flexibla drivspänningar
• 500 mW effektförlust hanterar termisk belastning i kompakta layouter
• Maximal Rds(on) på 4 Ω minskar ledningsförluster vid låga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 300 mA stöder småsignalbelastningar
• 0.4 nC typisk grindladdning ger snabba växlingsövergångar
• 20 V gate-source-tolerans möjliggör flexibla drivspänningar
• 500 mW effektförlust hanterar termisk belastning i kompakta layouter
Användningsområden
• Lämplig för nivåförskjutning och signalväxling i styrenheter
• Idealisk för batteridrivna sensorgränssnittskretsar
• Används med små reläer och byte av transistorer
• Kan användas för skyddskretsar i konsumentelektronik
• Lämplig för kompakta strömhanteringsmoduler på kort
• Idealisk för batteridrivna sensorgränssnittskretsar
• Används med små reläer och byte av transistorer
• Kan användas för skyddskretsar i konsumentelektronik
• Lämplig för kompakta strömhanteringsmoduler på kort
Vilken typ av förpackning ska jag förvänta mig för kortlayoutplanering?
Den levereras i en SOT-23-förpackning för ytmontering, vilket underlättar placering på täta kort.
Hur påverkar temperaturen driftsförmågan?
Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa miljöer och miljöer med förhöjda temperaturer.
Vilka mekaniska dimensioner är viktiga för komponentavståndet?
Komponenten mäter 2,9 x 1,3 x 1 mm, vilket är användbart vid beräkning av avstånd och placering av intilliggande komponenter.
Hur många terminaler finns tillgängliga för schematisk och routing?
Enheten har tre stift som överensstämmer med enkanalig MOSFET-topologi för enkel routing.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101