Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 124-9035
- Tillv. art.nr:
- 2N7002H6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 038,00 kr
(exkl. moms)
1 296,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 24 000 enhet(er) levereras från den 13 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,346 kr | 1 038,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,291 kr | 873,00 kr |
| 15000 + | 0,273 kr | 819,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-9035
- Tillv. art.nr:
- 2N7002H6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFETs för små signaler
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 300 mA 60 V Förbättring SOT-23, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 190 mA 100 V Förbättring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 540 mA 55 V Förbättring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 1.4 A 30 V Förbättring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 2.3 A 20 V Förbättring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 1.18 A 20 V Förbättring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 1.6 A 30 V Förbättring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 2.5 A 20 V Förbättring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
