ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, RU1C002ZP

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

90,10 kr

(exkl. moms)

112,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • 500 kvar, redo att levereras
  • Sista 900 enhet(er) levereras från den 11 september 2026

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4000,901 kr90,10 kr
500 - 9000,856 kr85,60 kr
1000 - 24000,72 kr72,00 kr
2500 - 49000,684 kr68,40 kr
5000 +0,584 kr58,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
124-6835
Tillv. art.nr:
RU1C002ZPTCL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-323

Serie

RU1C002ZP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

150mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.4nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.1mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

1mm

Bredd

1.35mm

Fordonsstandard

Nej

P-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.