onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 8 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, NTS2101P
- RS-artikelnummer:
- 163-1139
- Tillv. art.nr:
- NTS2101PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 128,00 kr
(exkl. moms)
5 160,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 07 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,376 kr | 4 128,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 163-1139
- Tillv. art.nr:
- NTS2101PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 8V | |
| Serie | NTS2101P | |
| Kapseltyp | SOT-323 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 210mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 330mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8, +8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.2mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 8V | ||
Serie NTS2101P | ||
Kapseltyp SOT-323 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 330mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8, +8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.2mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanalig effekt-MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 8 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, NTS2101P
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, RU1C002ZP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, RSF010P05
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, RZF013P01
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, RAF040P01
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23