ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, RU1J002YN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

63,20 kr

(exkl. moms)

79,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4000,632 kr63,20 kr
500 - 9000,569 kr56,90 kr
1000 - 24000,535 kr53,50 kr
2500 - 49000,475 kr47,50 kr
5000 +0,41 kr41,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
124-6836
Tillv. art.nr:
RU1J002YNTCL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

50V

Kapseltyp

SOT-323

Serie

RU1J002YN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

9Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

150mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.1mm

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.35mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.