onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 6.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 124-1332
- Tillv. art.nr:
- FDT86102LZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
12 492,00 kr
(exkl. moms)
15 616,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 3,123 kr | 12 492,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-1332
- Tillv. art.nr:
- FDT86102LZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 46mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 46mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 6.6 A 100 V Förbättring SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 3.2 A 100 V Förbättring SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 2.8 A 150 V Förbättring SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 3.3 A 100 V Förbättring SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 3.4 A 30 V Förbättring SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 5.6 A 100 V Förbättring SOT-223, PowerTrench
- Infineon Typ N Kanal 6.6 A 550 V Förbättring SOT-223, CoolMOS CE
- onsemi Typ N Kanal 170 mA 100 V Förbättring SOT-23, PowerTrench
