onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 544,00 kr

(exkl. moms)

6 930,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,848 kr5 544,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-2661
Tillv. art.nr:
FDN342P
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

PowerTrench

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.3nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal effektförlust Pd

500mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.94mm

Längd

2.92mm

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.