onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 680 mA 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, UniFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

103,90 kr

(exkl. moms)

129,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 400 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 6 700 enhet(er) från den 08 maj 2026
  • Dessutom levereras 3 300 enhet(er) från den 18 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4001,039 kr103,90 kr
500 - 9000,895 kr89,50 kr
1000 +0,777 kr77,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
121-2747
Distrelec artikelnummer:
304-36-911
Tillv. art.nr:
FDV303N
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

680mA

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

UniFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

350mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.64nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.93mm

Längd

2.92mm

Fordonsstandard

Nej

Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar