onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 460 mA 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, UniFET
- RS-artikelnummer:
- 354-4913
- Tillv. art.nr:
- FDV304P
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
4,26 kr
(exkl. moms)
5,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 358 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 26 707 enhet(er) från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,26 kr |
| 10 - 99 | 3,81 kr |
| 100 - 499 | 3,25 kr |
| 500 - 999 | 2,80 kr |
| 1000 + | 2,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 354-4913
- Tillv. art.nr:
- FDV304P
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 460mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | UniFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.93mm | |
| Längd | 2.92mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 460mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie UniFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.93mm | ||
Längd 2.92mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.
Funktioner och fördelar:
• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler
• Cellkonstruktion med hög densitet
• Hög mättnadsström
• Överlägsen omkoppling
• Mycket robust och tillförlitlig prestanda
• DMOS-teknik
Användningsområden:
• Lastväxling
• DC/DC-omvandlare
• Batteriskydd
• Kontroll av strömhantering
• Styrning av DC-motor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 460 mA 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, UniFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 680 mA 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, UniFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, UniFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP