onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 680 mA 25 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 354-4985
- Tillv. art.nr:
- FDC6321C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
10,53 kr
(exkl. moms)
13,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 649 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 716 enhet(er) från den 17 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,53 kr |
| 10 - 99 | 8,85 kr |
| 100 - 499 | 7,62 kr |
| 500 - 999 | 6,83 kr |
| 1000 + | 6,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 354-4985
- Tillv. art.nr:
- FDC6321C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 680mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 900mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8, -8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.89V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 680mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 900mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8, -8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.89V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.7mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Digital FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 680 mA 25 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 680 mA 25 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 680 mA 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, UniFET
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 510 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 340 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench