Microchip N Kanal, MOSFET-moduler, 236 A 1.2 kV Förbättringsläge, 33 Ben, Modul, MSCSMC
- RS-artikelnummer:
- 931-017
- Tillv. art.nr:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 enhet)*
1 332,93 kr
(exkl. moms)
1 666,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 332,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 931-017
- Tillv. art.nr:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET-moduler | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 236A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Serie | MSCSMC | |
| Typ av fäste | Direkt | |
| Antal ben | 33 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 21V | |
| Maximal effektförlust Pd | 604W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 726nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 62.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Längd | 56.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET-moduler | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 236A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Kapseltyp Modul | ||
Serie MSCSMC | ||
Typ av fäste Direkt | ||
Antal ben 33 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 21V | ||
Maximal effektförlust Pd 604W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 726nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 62.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.4mm | ||
Längd 56.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips avancerade kraftmodul av kiselkarbid ger exceptionella prestanda i högeffektiva tillämpningar, särskilt i krävande miljöer som kräver robust energihantering och termiska egenskaper.
SiC-teknik säkerställer låga omkopplings- och ledningsförluster
Integrerad termistor underlättar effektiv temperaturövervakning
Låg termisk resistans möjliggör effektiv värmeavledning
Mycket låg vikt och profil bidrar till designflexibilitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET-moduler, 33 A 1200 V Avskrivningar, 7 Ben, H2PAK-7, SCT
- Microchip Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 266 A 1200 V Förbättring, Phase Leg SiC MOSFET
- Microchip N Kanal, Modul, 251 A 1200 V, MSCSM
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 1200 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5 AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 1200 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, STH285N10F8-6AG AEC-Q101
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A 600 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-247, APT
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 120 A 600 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-247, APT
- Microchip Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 295 A 3300 V Förbättringsläge, mSiC
